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矽光子晶圓地圖

一片晶圓貴 5 倍（估），AI 廠商還排隊付訂金？因為矽不會發光，也看不見通訊的光。

把一顆光晶片想成一套自來水系統，光就是水。矽只會做水管（走光）和水龍頭（調光）；水塔（生光）要靠磷化銦、水表（收光）要靠一層鍺，而且水管底下還得先鋪一層玻璃（二氧化矽）才不漏。本頁先講 AI 為什麼把資料搬運逼到光，再講矽的兩個先天缺陷，然後拆開那片特製晶圓的三層，最後排出生光、收光的材料與背後的公司。圖都可以點。

最後更新日：2026 年 10 月 19 日
股票代號：台股四碼／海外為交易所代碼
性質：個人研究整理，非投資建議
已核　公開資料已查證公司法說、營收公告、原廠新聞稿、路透等主流財經媒體（「附」節列來源與日期，查證至 2026 年 10 月 17 日）
傳聞　法人、券商、媒體與自媒體估計公司未證實：市占比例、價格倍數、客戶身分、放量時點；寫法保留「估」「傳」

01 — WHY LIGHT

為什麼需要矽光子晶圓：AI 把資料搬運逼到光

起點還是算力。AI 叢集愈大，晶片與晶片、機櫃與機櫃之間要搬的資料就愈多，資料中心互連速率一路 400G → 800G → 1.6T → 3.2T 往上推；銅線在 800G、1.6T 的速率下發熱、衰減，物理上撐不住，於是「光進銅退」。

「用光」有兩條路。舊路是把雷射、調變器、偵測器一顆顆用磷化銦（InP）做成分立元件，再組進光模組；新路是把光路做在一片矽晶圓上——用台積電這類 CMOS 廠的曝光機，把光波導、調變器、偵測器像畫電路一樣畫出來，一片晶圓切出幾千顆光晶片（PIC）。這就是矽光子，它要的那片特製晶圓就是本頁主角。矽光子的賣點從來不是「矽很會發光」，而是「矽很會量產」。

需求量感：市場估 2026 年 800G 光模組需求約 7,000 萬支、1.6T 約 1,500 萬支，2027 年 1.6T 上看 6,000 萬支；矽光子方案在 1.6T 世代的滲透率，券商與產業估計多落在五到七成。市場估　「光」有三個裝法——可插拔光模組（今年主力）、CPO 共同封裝光學（2026 開始生產）、未來的光 I/O——三個場景用的是同一套光引擎核心：同一片 SOI 晶圓、同一層鍺、同一顆 CW 雷射。CPO 慢一年，可插拔就多賣一年，晶圓照樣要。已核

可插拔光模組（插前面板）800G / 1.6T，今年主力 CPO（貼在交換晶片旁）COUPE 2026 開始生產 DSP 電子晶片（整理訊號） 交換 / GPU 晶片（主晶片） 光引擎核心（共用）SOI 晶圓 + 矽波導 + 矽調變器鍺偵測器 + 光纖接頭 FAUInP CW 雷射 光引擎核心（共用）SOI 晶圓 + 矽波導 + 矽調變器鍺偵測器 + 光纖接頭 FAUInP CW 雷射（外置 ELS） OSFP 金屬殼，雷射裝在殼內壞了整支換 SoIC / CoWoS 封裝，無 DSP雷射放機殼外可插拔 黃色＝兩派都要的東西：晶圓、鍺磊晶、CW 雷射、對光件 灰色＝兩派不同的東西：DSP、封裝方式、雷射放哪裡
圖 1｜左邊是今天的可插拔光模組，右邊是 CPO。中間黃色那塊「光引擎核心」兩邊一模一樣：SOI 晶圓、矽波導與調變器、鍺偵測器、光纖接頭、InP CW 雷射。灰色才是兩派不同的地方：可插拔多一顆 DSP、雷射裝在模組殼內；CPO 拿掉 DSP、用 SoIC／CoWoS 封裝、雷射外置。兩派吵的是光晶片放哪裡，不是要不要。
矽光子晶片（做在一片 SOI 晶圓上） 水塔：InP 雷射生光，矽做不到 光纖 接頭FAU 水管：矽波導走光，矽的強項 水龍頭：矽調變器調光，開關寫 0/1 接頭送出去 別人送來的光經光纖進來 水管：矽波導走光 水表：鍺偵測器收光，讀成電 管壁：二氧化矽（SOI 晶圓）關光，水不漏到地底 上面一條：送出去。水塔的光經光纖、過接頭進水管，水龍頭寫上資料，再過接頭出去 下面一條：收進來。別人送來的光過接頭進水管，由水表讀成電。接頭是所有光纖進出的門 紅＝要靠磷化銦　綠＝要靠鍺　藍＝矽自己會　黃＝墊在底下的晶圓　灰＝晶片外的零件
圖 2｜整套自來水系統。上面一條是「送出去」：紅色水塔（InP 雷射，放在晶片外）的光經光纖、過灰色接頭進藍色水管，水龍頭把資料寫上去，再過接頭送出去。下面一條是「收進來」：別人送來的光過接頭進水管，由綠色水表（鍺）讀成電。整塊晶片墊在黃色管壁（SOI 的二氧化矽）上。矽只做了藍色的部分。

一句話立場：AI 的光，矽自己生不出來——關光的晶圓在法國，生光和收光的在台灣。矽負責的是水管和水龍頭，不是水塔和水表。

FULL MAP — 完整版地圖

這篇講的是光晶片底下那片晶圓；運算晶片怎麼封起來的，在完整地圖

矽光子晶圓解決的是「光怎麼進出晶片」。AI 運算晶片本體怎麼封裝——CoWoS、CoPoS、FOPLP、CoWoP、TGV／玻璃基板、EFB、晶背供電七個族群——在《AI 晶片｜先進封裝地圖》：七張可點的圖、關係圖與全部公司卡。留下 Email，確認後直接打開。

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02 — TWO DEFECTS

原理：矽的兩個先天缺陷——不會發光、看不見通訊的光

這一節是整篇的物理地基。看懂這兩個缺陷，後面「為什麼水塔、水表要用別的材料、為什麼是這幾家台廠」就全部順了。

缺陷①　矽是「間接能隙」：通電只會發熱、不會發光

半導體發光，是電子從高能量的導帶掉回價帶、把能量差以光子吐出來。直接能隙材料（磷化銦 InP、砷化鎵 GaAs）導帶最低點和價帶最高點在同一個動量位置，電子一跳就能發光。矽是間接能隙：兩個點錯開，電子要跳回來得同時找一顆晶格振動（聲子）幫忙把動量補上，三方同時到場的機率極低，能量幾乎都變成熱。結論：矽做不出通訊用的雷射，光源必須外求。

缺陷②　矽的能隙 1.12 eV：對 1,310／1,550 nm 的光是透明的

要「看見」光，材料得能吸收那個波長：光子能量要大於能隙。矽只吸收約 1,100 nm 以下的光；資料中心用的 1,310／1,550 nm 能量不夠，光直接穿過去。這個「透明」在波導裡是優點（光走得順、不被吃掉），到了偵測器就是致命傷：矽看不見它自己要傳的光。鍺（Ge）能隙 0.66 eV，1,310 nm 吸收得很好、1,550 nm 附近也吸收得到，所以水表要靠鍺。

直接能隙（InP · 水塔材料） 導帶 價帶 垂直一跳 → 吐出光子 同一動量位置 → 直接發光 間接能隙（矽 Si） 導帶 價帶 動量錯開 要等聲子幫忙 → 能量變成熱 錯開 → 幾乎不發光 誰看得見通訊的光？（吸收窗） 8001,1001,3101,550nm 矽吸收到這裡就停 矽對 1,310 / 1,550 透明＝看不見 鍺 Ge（0.66 eV）吸收邊蓋到 1,550 附近 → 水表材料 資料中心主力波長
圖 3｜上排是「能不能發光」：InP 的導帶谷底與價帶峰頂對齊，電子垂直一跳就吐出光子；矽的兩點錯開，得等聲子幫忙，能量多半變熱——所以水塔靠 InP。下排是「看不看得見」：矽的吸收邊在約 1,100 nm，對 1,310／1,550 nm 透明；鍺的吸收邊能蓋到 1,550 附近——所以水表靠鍺。矽在這兩件事上都做不到，但正因為它對通訊光透明，才適合當水管。

03 — SOI WAFER

管壁（關光）：SOI 晶圓，本頁主角

既然矽只負責走光，第一件事是讓光乖乖待在矽裡面不要漏到底下去。做法是把一片普通矽晶圓改成三層三明治：最上面約 220 nm 的薄矽（光在這裡走）、中間 2～3 μm 的二氧化矽（埋氧層 BOX）、底下 700 多 μm 的矽當支撐。這就是 SOI（絕緣層上覆矽），矽光子專用的叫 Photonics-SOI。剖面每一層都可以點。

SOI 三層剖面

Silicon-on-Insulator｜薄矽走光、二氧化矽關光、厚矽支撐
看相關個股 →
一片矽光子 SOI 晶圓的剖面：上方包覆層、220 nm 薄矽與矽波導、2～3 μm 埋氧層、775 μm 矽基板；每一層都可以點 一片 SOI 晶圓的剖面（放大，非比例） 上方：二氧化矽（包覆）／空氣　n ≈ 1.44 矽波導 ~500 nm 寬 光的模場鎖在這裡 薄矽 220 nm｜光在這裡走　n ≈ 3.48 埋氧層 BOX：二氧化矽 2～3 μm 管壁｜關光　n ≈ 1.44（低） 矽基板 ~775 μm 支撐｜n ≈ 3.48 走光高折射率，光走得慢 關光低折射率，製造邊界 光碰到就被彈回 支撐沒有 BOX 的話，光會直接散進基板 高 3.48 夾在低 1.44 之間 → 全反射；轉彎半徑可壓到約 5 μm，才塞得下上千個光元件 難在「薄」與「平」：220 nm 的頂層矽要全片均勻到 ±3 nm（Soitec 公開口徑）
薄矽／波導埋氧層 BOX矽基板上方包覆
圖 4｜三層結構裡，光被鎖在 220 nm 薄矽做成的波導中，靠的是矽（3.48）與二氧化矽（1.44）的折射率差。二氧化矽不是「擋住」光，而是製造一道讓光彈回來的邊界。
一句話
折射率高＝光走得慢。光在「慢」的材料裡往「快」的材料邊界跑，只要角度夠斜就會被整個彈回來（全反射），像潛水往上看水面變成鏡子。矽 3.48、二氧化矽 1.44，差得非常大，所以光被夾在幾百奈米寬的矽溝裡出不去，轉彎半徑可以壓到幾微米，才塞得下上千個光元件。反過來說，波導底下若還是矽，光看不到任何邊界，會直接往下散進基板，整條波導就廢了。
難在哪
「薄」和「平」：頂層矽只有 220 nm（頭髮的 1/300），整片 300 mm 晶圓的厚度要均勻到 ±3 nm（Soitec 公開口徑，路線圖目標 ±1 nm）——等於在整個台灣鋪一層膜，厚薄差只能 ±4 mm。厚度一變，光的速度就變，同一片晶圓上的調變器會對不上波長。做法是 Soitec 的 Smart Cut：用氫離子在矽片裡埋一把「刀」，鍵合到另一片後加熱劈開，留下薄矽再拋光。這把刀的專利在 Soitec 手上，光子級規格又比射頻用 SOI 更嚴，所以它幾乎獨家。已核
誰在做
路透引述瑞銀估計，Soitec 在矽光子基板市占約 95%（美銀口徑同為 95%+）；產業分析指它是目前唯一被 Tower、GlobalFoundries、台積電三大矽光子代工廠認證量產的 Photonics-SOI 供應商。市占為券商估　其餘追兵：環球晶（12 吋 SOI 小量生產、滿載排隊）、合晶睿晶、信越、中國沪硅（拿 Soitec 授權）。已核
錢的數字
Soitec Photonics-SOI 營收 FY26（截至 2026/3）略高於 1 億美元；8 月底執行長對路透表示 FY27「2 億美元只是底線」，9 月初再上修為 2.5～3 億美元。正與約 10 家客戶簽多年期產能預留協議：固定價格、客戶付訂金、未達量沒收；新廠要到約 2029 年；4 月起新加坡 300 mm 廠通過客戶認證加入生產。已核　價格倍數：Soitec 沒有公開單片價格。台媒多年口徑是「SOI 單價與毛利是傳統矽晶圓的數倍」；中國財經自媒體估高階 12 吋光子 SOI 單片約普通 12 吋矽片的 5～6 倍、連年漲價兩三成。這組數字是二手推算，本頁只寫「估」。倍數為自媒體估
泳池：潛水往上看 陡的：穿出去 斜的：被彈回 水面變鏡子 沒有玻璃：光漏掉 矽波導 矽基板，一樣慢 沒有邊界，光往下散掉 鋪了玻璃：光被關住 矽波導 3.48 二氧化矽 1.44，快 矽基板 慢（3.48）夾在快（1.44）之間，光碰到邊界就被彈回來，像泳池的水面
圖 5｜左：泳池裡往上看，陡的光線穿出水面，斜的光線被水面當鏡子彈回。中：波導底下沒有氧化層，上下都是矽、沒有邊界，光直接往下漏掉。右：底下墊了二氧化矽（慢→快的邊界），光在邊界被彈回，留在波導裡。這就是 SOI 晶圓存在的唯一理由。
300 mm 晶圓剖面（厚度誇大） 矽基板 775 μm 二氧化矽 2 μm 頂層矽 220 nm 厚度均勻 ±3 nm（目標 ±1） Soitec 公開口徑 比例感：整個台灣鋪一層膜400 km 長，厚薄差只能 ±4 mm Smart Cut 四步（Soitec 專利） 氫離子植入埋一把刀 鍵合到基板氧化層夾中間 加熱劈開留下薄矽 拋光均勻到 ±3 nm 誰在做（光子級 SOI） Soitec 約 95%（瑞銀估）：台積電、GlobalFoundries、Tower 都用它 其餘 5%：環球晶（12 吋小量生產、滿載排隊）、合晶睿晶、信越、中國沪硅（Soitec 授權）
圖 6｜上：剖面與規格（220 nm 薄矽、全片均勻 ±3 nm——Soitec 受訪公開口徑，目標 ±1 nm）。中：Smart Cut 四步——氫離子植入埋一把刀、鍵合到基板、加熱劈開、拋光。下：誰在做——Soitec 約 95%（瑞銀估），台積電、GlobalFoundries、Tower 都建在它的晶圓上；環球晶 12 吋 SOI 小量生產中、滿載排隊；合晶睿晶、信越、中國沪硅是其餘追兵。

誠實標界線：「Soitec 95%」是瑞銀／美銀估計，不是公司揭露；「5～6 倍」是中國自媒體推算；環球晶的 Photonics-SOI 有沒有進台積電，公司沒講、媒體只說「一線客戶認證中」。這三件事都別寫成確定句。

04 — LASER

水塔（生光）：磷化銦雷射，而且要「外置」

矽不發光，所以光源一律用 InP 雷射。在矽光子裡它叫 CW 雷射（連續波雷射）：只負責穩定發出一道不帶訊號的光，「寫資料」交給矽晶片上的調變器。舊世代的 EML 是雷射與調變器做在同一顆 InP 上、每個通道一顆；矽光子則是一顆大功率 CW 雷射分給多個通道，雷射顆數減少、單顆功率要求變高。

為什麼雷射要放在晶片外面

  • 怕熱：InP 雷射溫度每升 1°C 波長漂約 0.1 nm、壽命隨溫度指數縮短；交換／GPU 晶片卻是上千瓦的熱源。貼在一起等於把最怕熱的零件放在最熱的地方。
  • 好修：內嵌雷射壞了要換整顆封裝；外置做成可插拔模組（ELS），壞了拔掉換。CPO 用的雷射單顆要到 400 mW 級，約可插拔模組裡 CW 雷射的 4 倍。
  • 異質接合仍是研究路線：把 InP 直接接合到矽晶圓上技術上可行，但晶格失配、熱膨脹差異與良率，讓目前主流 CPO 設計都選外置。這點對台廠有利：雷射仍是一顆獨立的 InP 元件，有獨立的磊晶與代工生意。

台廠在水塔上的位置：磊晶與代工兩段

聯亞 3081 · 磊晶
InP 磊晶片＋CW 雷射。2Q26 營收 12.21 億元（年增 121%）、毛利率 57%；3Q26 營收 15.62 億元、季增 28%、年增 183%；DataCom 占 80～85%、矽光 CW 雷射為最大品項；1.6T 量產、3.2T 開發中；2027 產能為 2026 的 2.5 倍；董事會通過上限 22.7 億元擴產，並與日、美供應商簽 InP 基板採購合約。已核
穩懋 3105 · 代工
1.6T InP 光偵測器 2Q26 末量產、第三季出貨放大；3Q26 營收 58.58 億元、季增 11%；CW 雷射與 EML 仍在客戶驗證，公司明說 2027 起才有實質貢獻，光通訊暨資料中心目前占營收僅低個位數。已核

「穩懋＝水塔」要分兩段講：它現在量產的是 InP 光偵測器（接收端），水塔（CW 雷射）要到 2027。寫成「穩懋水塔已量產」是錯的。

一顆 InP 雷射怎麼來（紅＝台廠卡位） InP 基板日本住友、美國 AXT 磊晶：長雷射層聯亞 製程、切割穩懋（CW 2027） CW 雷射晶粒一顆供多路 Lumentum、Coherent 四段全包自己做；穩懋的這一段 2027 才放量，現在量產的是 InP 光偵測器 做好的雷射放哪裡 外置雷射 ELS機殼外，可插拔壞了拔掉換 光纖 矽光晶片貼著主晶片上千瓦的熱源 雷射怕熱每升 1°C 波長漂 0.1 nm愈熱壽命掉愈快 舊世代 EML：每個通道一顆雷射，發光和調變做在同一顆 InP 上，8 通道要 8 顆 矽光子 CW：1–2 顆大功率雷射分給 8 路，顆數少、單顆功率和耐溫要求高 把 InP 直接接合到矽晶圓上（異質接合）是研究路線，主流 CPO 設計仍選外置
圖 7｜上排是一顆 InP 雷射的四段製造鏈：基板在日本、美國，磊晶（聯亞）與製程切割（穩懋，CW 雷射 2027 放量）在台灣，Lumentum、Coherent 則四段自己包。下排是雷射放哪裡：做成外置模組 ELS 放機殼外，經光纖把光送進貼著主晶片的矽光晶片。

水塔的上游在國外：台灣做的是磊晶，InP 基板本身主要來自日本住友電工、JX 金屬與美國 AXT；中國近年對銦相關材料出口管制，讓 InP 基板一度緊俏。聯亞簽 5 年住友長約就是在鎖這個上游。這是本頁的「缺席格」：不在台股，但決定台廠能不能擴產。

05 — GERMANIUM

水表（收光）：在矽上長一層鍺（鍺矽磊晶）

矽對 1,310／1,550 nm 的光透明，要「讀」就得有一塊會吸收這種光的材料。矽光子的做法是直接在 SOI 晶圓的矽波導末端「長」一小塊鍺——鍺和矽同族、晶格結構相同，能在同一片晶圓上用磊晶長出來，不必另外裝零件。這就是矽光子晶片的水表：鍺光偵測器（Ge PD）。

鍺矽磊晶就是「在矽光子晶圓上加工長鍺」

流程：SOI 晶圓 → 晶圓廠先把矽水管畫好 → 在水管末端的位置長鍺（這一步就是鍺矽磊晶）→ 接電極完工。嘉晶賣的是這一步的磊晶代工：客戶把晶圓送來、嘉晶在指定位置長鍺、再送回去。公司只說客戶是「國際一線」，身分與流程細節沒有公開。

難在哪：鍺的原子間距比矽大約 4.2%。硬把鍺長在矽上，長厚了就會「鬆開」產生差排，差排會吃掉光生電流、拉高暗電流。業界的解法是先長一層低溫緩衝、再長高溫鍺、反覆退火，或只在小溝槽裡做選擇性磊晶讓缺陷長到旁邊去。製程慢、對設備與良率要求高——這就是嘉晶說的「技術門檻」。

錢的數字：嘉晶 3016

  • 進度：鍺矽磊晶代工 2026 Q1 末小量、Q2 通過國際一線客戶認證並量產，用於 800G／1.6T 光收發模組接收端的 PD；主要量產客戶是一家合作約兩年的國際客戶（未點名），另有其他客戶詢價。良率：客戶端 98%、自家線上 99%。已核
  • 占比：上半年營收占比僅約 1%、毛利率高於公司平均；公司估第三季季增逾 70%、2026 年底單月占比 3～5%，2027 年規模為現在的 3.5～4 倍。母公司上半年營收 23.68 億元、年增 28%、毛利率由 6% 升至 21%；3Q26 營收 15.02 億元（季增 15%、年增 54%）。已核
  • 擴產與交期：上半年資本支出約 9 億元、以矽光子為大宗；與客戶成本分攤共同擴產；需求能見度到 2028，但現有產能能滿足的需求不到五成；最大限制是機台交期。已核
  • 冷靜點：水表是「高毛利小占比」。鍺矽磊晶今年占營收 1～5%，主引擎仍是 8 吋矽磊晶（PMIC）；市場對它的預期已大幅反映。這是「卡到關鍵段、純度正在升」的故事，不是「已經靠矽光子賺錢」的故事。
水表怎麼接在水管末端（剖面） 電流出來（接電極） 光在矽水管裡走，矽對它透明、讀不到 鍺（綠色）：光被吸收 二氧化矽管壁 矽（能隙 1.12 eV，只吸收 1,100 nm 以下）　鍺（能隙 0.66 eV，吸收到 1,550 nm 附近） 鍺不是另外裝上去的零件，是在同一片晶圓上「長」出來的 SOI 晶圓Soitec 畫出矽水管晶圓廠曝光蝕刻 水管末端長鍺鍺矽磊晶：嘉晶 接電極、完工回晶圓廠 嘉晶賣的是「磊晶代工」：客戶把晶圓送來、在指定位置長鍺、再送回。客戶身分與流程細節未公開。 難在哪：鍺原子比矽大 4.2%，長上去會擠 鍺（綠）：間距大 擠不下 → 接縫裂開（差排）→ 暗電流 矽（灰）：間距小 解法：緩衝層＋退火＋慢慢長 嘉晶 2Q26 量產，良率 98–99%
圖 8｜上：光在矽水管裡走，矽對它透明、什麼都讀不到；一進到末端那塊綠色的鍺就被吸收、變成電流從電極流出——這就是水表。中：鍺不是外加的零件，是在同一片 SOI 晶圓上、水管末端「長」出來的；嘉晶做的就是「長鍺」這一步的磊晶代工。下：鍺原子比矽大 4.2%，硬長會擠出差排、拉高暗電流，解法是緩衝層＋退火＋慢慢長。

06 — COMPANIES

公司卡

篩選標準三條：①直接做 SOI 晶圓、鍺矽磊晶、InP 雷射或 COUPE 平台本身；②公司法說或公開財報講過；③不靠論壇消息。接頭（FAU：上詮、波若威、大立光）不在晶圓上，本頁不列；常被串進「矽光子概念股」的面板、DSP、封測、檢測設備股也不在這條材料線上。上方標籤可只看某一種材料或市場；從剖面圖點進來的公司會亮框。法人預估屬動態，使用前請再核對日期。

市場

市場標籤：台股 台灣上市櫃（四碼）　美股 美國交易所　 東京　歐股 巴黎。角色色標：主戰場候選國際對照

管壁：SOI 晶圓

關光；壟斷格在法國

環球晶

台股6488
12 吋 Photonics-SOIRF-SOI自主層轉移技術
角色候選卡位光子級 SOI 第二供應商候選，2027 放量
事實
8/4 法說：美國密蘇里 St. Peters 廠 12 吋 SOI 開出，RF-SOI 與矽光子產品小量生產、12 吋 SOI 稼動滿載、仍有客戶排隊；10/8：受惠矽光子，密蘇里 SOI 廠 12 吋產品需求與產出「大幅提升」；第三季營收 148.7 億元（義大利廠火災影響）。與 Soitec 的授權已終止，靠子公司 MEMC 的自主層轉移 IP 做 12 吋。已核
風險
2025 年 SOI 占營收不到 10%、以 8 吋為主，純度低；是否打進台積電公司未揭露（媒體只說一線客戶認證中）；主業仍是一般矽晶圓景氣。

Soitec

歐股SOI
Photonics-SOISmart Cut 專利
角色國際對照卡位光子級 SOI 近乎獨家
事實
路透 8/31：Photonics-SOI 營收 FY26 略高於 1 億美元，FY27「2 億美元只是底線」、9/3 上修為 2.5～3 億美元；與約 10 家主要客戶中的 8 家簽多年期訂金長約；新廠約 2029；10 月與中國 NSIG 延長技術授權架構。已核　瑞銀估矽光子基板市占約 95%。券商估
風險
壟斷格：市場對它的預期今年已大幅反映，供需與第二供應商是主要爭議；11/18 公布上半年財報；氮化矽平台與環球晶、沪硅是長期變數。

水表：鍺矽磊晶

收光；台廠卡到的關鍵一步

嘉晶

台股3016
鍺矽磊晶代工8 吋矽磊晶（主業）
角色主戰場卡位在矽光子晶圓上長鍺
曝險
9/22 法說：通過國際一線客戶認證、2Q26 量產，用於 800G／1.6T 模組接收端 PD；客戶端良率 98%、線上 99%；上半年占營收約 1%、第三季估季增逾 70%、年底拚單月 3～5%；2027 產能 3.5～4 倍；能見度到 2028，現有產能能滿足不到五成；上半年資本支出約 9 億元、客戶分攤成本。10/8：3Q26 營收 15.02 億元（季增 15%、年增 54%）。已核
風險
今年占比 1～5%，主引擎仍是 8 吋矽磊晶（PMIC）；主要量產客戶一家、合作約兩年、未點名（市場推測台積電，未證實）；擴產卡設備交期；市場對它的預期已大幅反映。

水塔：磷化銦雷射

生光；磊晶與代工兩段

聯亞

台股3081
InP 磊晶片CW 雷射1.6T 量產
角色主戰場卡位台股純度最高的水塔
曝險
8/12 法說：2Q26 營收 12.21 億元、毛利率 57%；DataCom 占 80～85%、矽光 CW 雷射為最大品項；1.6T 已量產、3.2T 開發中；2027 產能 2.5 倍。10/5：3Q26 營收 15.62 億元（季增 28%、年增 183%）、前三季 36.88 億元（年增 136%）；董事會通過上限 22.7 億元擴產、與日美供應商簽 InP 基板合約。已核
風險
資本支出大、折舊壓力要看（公司目標折舊占營收 8～12% 以下）；上游 InP 基板曾因出口管制緊俏。

穩懋

台股3105
InP 光偵測器（已量產）CW 雷射（驗證中）
角色候選卡位InP 代工，水塔 2027 才開
事實
1.6T InP 光偵測器 2Q26 末量產；CW 雷射 70／100 mW 在客戶驗證，2027 才放量。10/5：9 月營收 20.3 億元（年增 30%）、3Q26 58.58 億元（季增 11%），PD 新單出貨放大為各產品線之冠；光通訊暨資料中心占營收仍低個位數；2026 資本支出 20～30 億元、E-beam 2027 由 4 台增至 10 台。已核
風險
本業 GaAs 手機 PA 退居三成；現在賺的是 InP 光偵測器（舊路線的水表），矽光子的水塔要到 2027——別寫成已量產。

住友電工、JX 金屬、AXT

美股5802、5016、AXTI
InP 基板
角色國際對照卡位水塔的上游，台廠的缺席格
事實
聯亞簽住友 5 年長約鎖料；AXT 揭露的磊晶客戶含聯亞；中國對銦相關材料的出口管制讓 InP 基板一度緊俏。已核
風險
不在台股，但決定台廠雷射能不能擴產。

Lumentum、Coherent

美股LITE、COHR
EMLCW 雷射 IDMCPO 外置雷射
角色國際對照卡位水塔四段全包；台廠 CW 雷射的對手兼客戶
事實
200G EML 的主要供應商、缺貨排到 2027法人口徑；獲 NVIDIA 策略投資與長約。8～9 月法說：Lumentum 說 scale-up CPO 產品 2027 下半年量產出貨、2028 首批客戶部署；Coherent 說 scale-out CPO 今年下半年開始貢獻營收。已核
風險
EML 與 CW 雷射分場景共存：長距離、高光功率預算仍偏好 EML。

平台

把水管、水龍頭畫出來、疊成光引擎

台積電

台股2330
65 奈米光子製程SoIC-XCOUPE
角色主戰場卡位平台主導者
事實
7/16 法說：COUPE 已開始生產、逐步放量（10/15 第三季法說未更新口徑）；8/31 SEMICON Taiwan：單一 COUPE 3.2T（2026）→ 6.4T（約 2027）→ 12.8T；200G 微環調變器 2026 量產；輝達採 COUPE 的 CPO 交換器已出貨、下半年放量。已核
風險
CPO 占整體營收仍小；法人估 COUPE on Substrate 對應 SoIC 月產能約 4,000～5,000 片、大規模放量約需兩年。法人估

07 — TIMELINE

兩派時程與四個會打亂節奏的變數

不是建議。可插拔、NPO、CPO 三派吵的是「光晶片放哪裡」，不是「要不要光晶片」；晶圓線的需求是三派的交集，這是它比純 CPO 題材穩的地方。

台積電 COUPE 的話

  • 4 月技術論壇：基板上 COUPE 的 CPO 方案 2026 年開始生產、200G 微環調變器 2026 量產。
  • 7 月法說：COUPE 已經開始生產，接下來逐步放量。
  • 8/31 SEMICON Taiwan：單一 COUPE 3.2 Tb/s（2026）→ 6.4（約 2027）→ 12.8，長期 25.6、51.2 以上；交換器先落地，下一步把光引擎放到 XPU 中介層。已核

可插拔派的數字

  • 摩根士丹利估 CPO 對可插拔需求的稀釋 2026 年僅 3%、2027 年 11%、2028 年 16%，初期集中在 ≥3.2T。
  • SemiAnalysis 2026 年 6 月報告把 CPO 大規模放量推到 2028～2029。
  • 花旗引述 Lightmatter：NPO（近封裝光學）2027 率先商用、2028 普及，CPO 放量 2028 起。均為法人估
2026202720282029 可插拔矽光 800G 7,000 萬 · 1.6T 1,500 萬 1.6T 6,000 萬 3.2T 起量 CPO 3.2T 開始生產 6.4T · 2 代 CPO 12.8T · 放量（SemiAnalysis 口徑） CPO 稀釋可插拔 3% 11% 16% 摩根士丹利估 兩條線都要同一片 SOI 晶圓 ＋ InP CW 雷射 ＋ 鍺偵測器 → 晶圓線是交集
圖 11｜可插拔矽光 2026～2028 一路放量；CPO 2026 開始生產、2027 升到 6.4T、放量時點市場有 2027 與 2028～29 兩種口徑。不管哪派贏，矽光子晶圓都是必需品。

四個會打亂節奏的變數

  • 壟斷價可以漲也可以被繞過：Soitec 用長約鎖價是因為缺貨；但氮化矽（SiN）波導平台、環球晶 12 吋 SOI、中國沪硅都在追。壟斷格會不會鬆，看 2027 年第二供應商有沒有被台積電認證。
  • 嘉晶客戶沒點名：「國際一線客戶」市場推測是台積電，公司從未證實；占比今年只有 1～5%，產能受設備交期限制。技術卡位 ≠ 今年財報。
  • 穩懋的水塔還沒開：CW 雷射 2027 才放量，現在貢獻的是 InP PD。把穩懋寫成「矽光子水塔已量產」會被打臉。
  • CPO 放量時點分歧：台積電說 2026 開始生產，SemiAnalysis 說放量 2028～29，9 月又多了「輝達轉向 NPO 過渡」的說法。晶圓線是三派交集、受影響較小，但「CPO 延後」的消息每次都會砸整個族群——6/9 光通訊股單日重挫就是例子。法人預估更新很快，看的時候務必抓最新一份。

沒有公開的拆帳：一顆矽光晶片裡 SOI、鍺磊晶、雷射各占多少成本，沒有公開資料；本頁談的是「誰卡到不可替代的材料段」，不是金額比例。

A — GLOSSARY & SOURCES

名詞速查與資料核對

名詞速查

SOISilicon-on-Insulator，絕緣層上覆矽：薄矽／二氧化矽／厚矽三層晶圓。矽光子用的叫 Photonics-SOI，頂層矽約 220 nm、埋氧層 2～3 μm。
PIC／EIC光子積體電路（光晶片，65 奈米）／電子積體電路（驅動與放大，6 奈米級）。COUPE＝台積電用 SoIC-X 把 EIC 疊在 PIC 上。
CW 雷射／EML連續波雷射：只發一道不帶訊號的光，調變交給矽晶片；EML：雷射與調變器做在同一顆 InP 上、每通道一顆。
ELS外置雷射：把怕熱的 InP 雷射放在機殼外做成可插拔模組，用光纖把光送進光晶片。
Ge PD鍺光偵測器：在矽波導末端用磊晶長一塊鍺，把 1,310／1,550 nm 的光變回電。
Smart CutSoitec 專利：氫離子植入埋「刀」、鍵合、加熱劈開、拋光，做出全片均勻的 220 nm 薄矽。
FAU光纖陣列單元：光纖芯 9 μm 對到 0.5 μm 的波導，所有光纖進出晶片的門（上詮、波若威，本頁不列卡）。
CPO／NPO共同封裝光學（光引擎貼在交換晶片旁）／近封裝光學（放在晶片旁的主機板或夾層卡，可拆可修，2026/9 起的過渡路線）。
晶格失配鍺原子間距比矽大約 4.2%，硬長上去會擠出差排、拉高暗電流；解法是緩衝層＋退火＋慢慢長。

資料核對（查證至 2026 年 10 月 17 日）

以下是本頁「已核」標記的依據，內容均經改寫、非原文照錄。「傳聞」類在正文已標明。上線前若隔太久，先重查前四項。

  1. 台積電：2026 北美／台灣技術論壇（經濟日報、Yahoo 股市）、7/16 法說、8/31 SEMICON 矽光子論壇（數位時代）、10/15 第三季法說（今周刊、經濟日報）、VLSI 2026 COUPE 架構（鉅亨號）、工商時報「EIC 6nm／PIC 65nm」。
  2. Soitec：路透 8/31 執行長專訪（科技新報、財訊快報）、PIC Magazine 9/3 上修指引（FY27 2.5～3 億美元）、PIC Magazine 專訪（Photonics-SOI 厚度、均勻度 ±3 nm、目標 ±1 nm）、新加坡廠認證公告（7 月）、NSIG 授權延長（10 月）、瑞銀／美銀 95% 市占估計（路透、IndexBox 10/13 轉述）。價格倍數：東方財富「財富號」2026/6 自媒體文（傳聞類）。
  3. 嘉晶：4/29 與 9/22 法說（富果、方格子備忘）、MoneyDJ 9/22～23、中時 5/6 與 9/22、工商時報 10/2、數位時代 9/29、經濟日報 9/29、財訊快報 10/12 第三季營收。
  4. 聯亞：8/12 法說（鉅亨）、MoneyDJ 8/10 與 8/17、10/5～10/7 九月營收報導（自由、經濟日報、ETtoday、時報資訊）。
  5. 穩懋：5/26 法說備忘（富果）、公司 5 月簡報（公開資訊觀測站）、科技新報 4/2 與 7/24、優分析 9/24、鉅亨與財訊快報 10/5。
  6. 環球晶：法說（中時 8/5、富果 8/4 備忘）、MoneyDJ 3 月／5/7／5/21／8/24／9/22／10/8。
  7. 兩派時程：摩根士丹利稀釋估計（鈦媒體轉述）、SemiAnalysis 2026/6（鉅亨、Yahoo 轉述）、Lumentum／Coherent 法說（經濟日報 8/15）、花旗引述 Lightmatter 的 NPO 時程（Yahoo 股市 9/10）、國內法人 COUPE 產能估計（科技新報 9/10）、工商時報 8/31；800G／1.6T 需求量（工商時報）。
  8. 原理：台大 CASE 報科學〈什麼是矽光子〉、商周矽光子專題、光學教科書通用知識（能隙、折射率、全反射、晶格失配）。

查不到、本頁不寫的：SOI 單片價格與官方倍數、Soitec 官方市占、嘉晶客戶身分、環球晶是否進台積電、各材料在一顆晶片裡的成本拆分。本頁所有內容為個人研究整理，不構成投資建議。股票代號以各交易所公告為準。

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本頁全部內容均屬半導體與 AI 產業之知識教育、公開資訊整理與供應鏈資料分析，非投資建議；文中提及個別公司，僅作為產業結構說明之範例，不構成任何有價證券之買賣推薦。投資一定有風險，任何決策請自行研究判斷、自負盈虧。完整條文見官網「免責聲明」與「防詐聲明」。

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